MUN5312DW1T1G_ON_安森美_SOT-363_带预偏置三极管

MUN5312DW1T1G 型号参数

MUN5312DW1T1G是品牌ON安森美，研发制造的带预偏置三极管产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子体温计探头、电子厨房计时器、心电图仪、平板电脑、显卡，带预偏置三极管与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

带预偏置三极管可应用场景，如电子广告牌、红外感应器、频谱分析仪、电子罗盘、耳机、游戏机、电子游戏机手柄、电子书阅读器等，想要了解更多带预偏置三极管相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
MUN5111DW1T1G	带预偏置三极管 SOT363 Dual PNP Ic=100mA VCEO=50V
MMUN2132LT1G	带预偏置三极管 PNP Ic=100mA Vceo=50V hfe=15 P=400mW SOT23
MMUN2232LT1G	带有单片偏置电阻网络的NPN晶体管
MMUN2133LT1G	带预偏置三极管 PNP Ic=100mA Vceo=50V hfe=80 P=400mW SOT23
DTC124XET1G	数字晶体管（BRT）R1=22 KΩ，R2=22 KΩ具有单片偏置电阻网络的PNP晶体管
MUN5111T1G	带预偏置三极管 PNP Ic=100mA Vceo=50V hfe=35 P=310mW SOT323
MUN5312DW1T1G	互补偏置电阻晶体管
MMUN2114LT1G	带预偏置三极管 PNP Ic=100mA Vceo=50V hfe=80 P=400mW SOT23
MUN5330DW1T1G	互补偏置电阻晶体管
MMUN2111LT1G	带预偏置三极管 PNP Ic=100mA Vceo=50V hfe=35 P=400mW SOT23

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