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MUN5312DW1T1G_ON_安森美_SOT-363_带预偏置三极管

MUN5312DW1T1G 型号参数

MUN5312DW1T1G是品牌ON安森美，研发制造的带预偏置三极管产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如扫描仪、调制解调器、电子广告牌、摄像头、智能照明系统，带预偏置三极管与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

带预偏置三极管可应用场景，如显卡、光纤连接器、电饭煲、 LED照明灯、实验室离心机、烤箱、显示器、微波炉等，想要了解更多带预偏置三极管相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
MUN5235DW1T1G	带预偏置三极管 Dual NPN Ic=100mA Vceo=50V hfe=80 P=250mW SOT363
MMUN2111LT1G	带预偏置三极管 PNP Ic=100mA Vceo=50V hfe=35 P=400mW SOT23
MUN5214DW1T1G	带预偏置三极管 Dual NPN Ic=100mA Vceo=50V hfe=80 P=250mW SOT363
MUN2211T1G	带预偏置三极管 NPN Ic=100mA Vceo=50V hfe=35 P=230mW SC59
MUN5214T1G	带有单片偏置电阻网络的NPN晶体管
MMUN2232LT1G	带有单片偏置电阻网络的NPN晶体管
MMUN2211LT1G	晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) NPN - 预偏压 50V 100mA 246mW SOT23
MUN5313DW1T1G	带有单片偏置电阻网络的NPN和PNP晶体管
MUN2111T1G	带预偏置三极管 PNP Ic=100mA Vceo=50V hfe=35 P=338mW SC59
MMUN2132LT1G	带预偏置三极管 PNP Ic=100mA Vceo=50V hfe=15 P=400mW SOT23

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