IPP072N10N3 G_Infineon_英飞凌_TO-220-3_MOSFETs
IPP072N10N3 G 型号参数
IPP072N10N3 G是品牌Infineon英飞凌，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 门禁系统、 智能手环、 计算机、 功放设备、 电动自行车充电器 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：IPP072N10N3 G
- 品牌：英飞凌(Infineon)
- 分类：MOSFETs
- 参数：类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):150W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.2mΩ@10V,80A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@90uA;
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 电子烤箱温度计、 摄像机、 音频线材、 固态硬盘、 电子书阅读器、 移动硬盘、 显卡、 电子翻译器 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
