IPB042N10N3GATMA1_Infineon_英飞凌_TO263-3_MOSFETs

IPB042N10N3GATMA1 型号参数

IPB042N10N3GATMA1是品牌Infineon英飞凌，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电动自行车充电器、电视机、扬声器、电子翻译器、电子除螨仪，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如光纤连接器、电子胎心监测仪、固态硬盘、 MP3播放器、频谱分析仪、电源供应器、 DVD播放器、音响设备等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
IPD082N10N3G	最佳3功率晶体管
BSC030P03NS3G	MOSFETP-CH30V100ATDSON-8
IPW60R060P7	IPW60R060P7
IPP032N06N3GXKSA1	通孔 N 通道 60 V 120A（Tc） 188W（Tc） PG-TO220-3
IRFB4229PBF	MOSFETs 250V 330W DIP TO220AB 46A N-Channel
IRF7389TRPBF	MOSFETs VDS1=30V ID1=7.3A VDS2=30V ID2=5.3A SOIC8_150MIL
IRFS4310ZTRLPBF	MOSFETs 100V 250W SMT TO263AB 120A N-Channel
IRFR3607TRPBF	MOSFETs 75V 140W SMT TO252AA 80A N-Channel
IRLR3636TRPBF	表面贴装型 N 通道 60 V 50A（Tc） 143W（Tc） D-Pak
IPP034NE7N3 G	类型:N沟道;漏源电压(Vdss):75V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):214W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.4mΩ@10V,100A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.8V@155uA;

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