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HSBA6115_HUASHUO_华朔_DFN8_5.1X5.7MM_MOSFETs

HSBA6115 型号参数

HSBA6115是品牌HUASHUO华朔，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子秤、电动车充电器、声卡、吉他效果器、集成电路板，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如网络适配器、 3D打印机、录像机、示波器、门禁系统、吸尘器、电子琴、烤箱等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
BSS84	SOT23 350mW
HSBA20N15S	N沟道漏源电压(Vdss)：150V 连续漏极电流(Id)：23A 功率(Pd)：72.6W
HSU4103	MOSFETs P-沟道 40V 27A 46mΩ@4.5V TO252
HSU0139	P沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：102W
HSU4115	P沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：52A 功率(Pd)：52.1W
AO3415	MOSFETs P-沟道 20V 4.3A 80mΩ@1.8V SOT23L
HSBA15810C	MOSFETs 1个N沟道耐压:100V 电流:100A PRPAK8_5X6MM
HSH15810	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：227W
AO3400A	MOSFETs N-沟道 30V 5.2A 52mΩ@2.5V SOT23
HSL6107	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：1.5W

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