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HSU70P06_HUASHUO_华朔_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

HSU70P06 型号参数

HSU70P06是品牌HUASHUO华朔，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电动自行车控制器、电子门禁卡、实验室离心机、电动车、电磁炉，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如汽车、电动自行车、智能门锁、电子门禁卡、电动自行车充电器、电子广告牌、打印机、音频信号处理器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
HSM4113	P沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：7.5A 功率(Pd)：3.1W
HSBA15810C	MOSFETs 1个N沟道耐压:100V 电流:100A PRPAK8_5X6MM
HSH90P06	MOSFETs TO263 P-Channel 85A
HSM0228	2个N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：1.5W
HSU4103	MOSFETs P-沟道 40V 27A 46mΩ@4.5V TO252
HSS0127	MOSFETs SOT23 P-Channel 0.9A
HSL6107	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：1.5W
HSM4115	P沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：8.7A 功率(Pd)：1.5W
AO3400A	MOSFETs N-沟道 30V 5.2A 52mΩ@2.5V SOT23
HSP80P10	P沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：210W

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