FQD2N60CTM_ON_安森美_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

FQD2N60CTM_ON_安森美_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

FQD2N60CTM 型号参数

FQD2N60CTM是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如耳机、电子搅拌器、电子翻译器、电子白板、洗衣机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：FQD2N60CTM
品牌：安森美(ON)
分类：MOSFETs
参数：表面贴装型 N 通道 600 V 1.9A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） TO-252AA

应用场景

MOSFETs可应用场景，如汽车、音频线材、电磁炉、固态硬盘、电子白板、智能手表、话筒（麦克风）、网卡等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
FDPF20N50FT	通孔 N 通道 500 V 20A（Tc） 38.5W（Tc） TO-220F-3
FDB088N08	MOS管 N-Channel VDS=75V VGS=±20V ID=85A RDS(ON)=8.8mΩ@10V D2PAK
FDD120AN15A0	表面贴装型 N 通道 150 V 2.8A（Ta），14A（Tc） 65W（Tc） TO-252AA
NTF3055-100T1G	MOSFETs N-Channel VDS=60V ID=3A SOT223
FDN342P	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=2A RDS(ON)=80mΩ@4.5V SOT23-3
FCD5N60TM	表面贴装型 N 通道 600 V 4.6A（Tc） 54W（Tc） TO-252AA
FDG6303N	数字FET，双N沟道 VDS=25V ID=0.5A PD=0.3W SOT363
NTA4151PT1G	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：760mA 功率(Pd)：301mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：360mΩ@4.5V,350mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：450mV@250uA
FDS6679AZ	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=13A RDS(ON)=9.3mΩ@10V SOIC8_150MIL
FQA11N90C-F109	MOS管 N-Channel VDS=900V VGS=±30V ID=11A RDS(ON)=1.1Ω@10V TO3PN

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