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AP2012S_ALLPOWER_铨力_SO8_MOSFETs

AP2012S 型号参数

AP2012S是品牌ALLPOWER铨力，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电动车充电器、扫描仪、电子湿度计、 X光机、饮水机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如笔记本电脑、遥控器、网络适配器、心电图仪、平板电脑、摄像头、 RFID读写器、智能家居控制系统等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
AP50N06K	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：60W
AP3003	1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.2A
AP4438	N沟道功率MOSFET SOT89 VDS=30V VGS=±12V ID=11.8A
AP30H100KA	MOSFETs TO-252 N-Channel Single
AP3400	N沟道功率MOSFET SOT23 VDS=30V VGS=±12V ID=5.8A
AP20P30Q	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：40W
AP90P03G	MOSFETs VDS=30V ID=90A PD=79W PDFN8L_5X6MM
AP2316	N沟道功率MOSFET SO23 VDS=30V VGS=±12V ID=4A
AP3010	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：10A 功率(Pd)：2.5W
APG095N01K	MOSFETs TO-252 N-Channel Single

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