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2N7002LT1G_ON_安森美_SOT-23_MOSFETs

2N7002LT1G 型号参数

2N7002LT1G是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如笔记本电脑、射频连接器、电动自行车、固态硬盘、电子书阅读器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如集成电路板、智能照明系统、汽车电子控制系统、交流电源、无人机、电动车、电子计算器、逻辑分析仪等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
MGSF1N03LT1G	表面贴装型 N 通道 30 V 1.6A（Ta） 420mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
NTA4151PT1G	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：760mA 功率(Pd)：301mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：360mΩ@4.5V,350mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：450mV@250uA
FDN360P	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=2A RDS(ON)=80mΩ@10V SOT23-3
FDPF18N50	通孔 N 通道 500 V 18A（Tc） 38.5W（Tc） TO-220F-3
FQA24N60	通孔 N 通道 600 V 23.5A（Tc） 310W（Tc） TO-3PN
FDA28N50	通孔 N 通道 500 V 28A（Tc） 310W（Tc） TO-3PN
NTJD4001NT1G	MOS管 Dual N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=250mA RDS(ON)=1.5Ω@4V SOT363
FDN8601	表面贴装型 N 通道 100 V 2.7A（Ta） 1.5W（Ta） SOT-23-3
FDT458P	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=3.4A RDS(ON)=130mΩ@10V SOT223
FDS6898A	MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 20V 9.4A 900mW 表面贴装型 8-SOIC

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