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XTSDG04GWSIGA_XTX_芯天下_WSON8_NAND FLASH

XTSDG04GWSIGA 型号参数

XTSDG04GWSIGA是品牌XTX芯天下，研发制造的NAND FLASH产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如固态硬盘、电子血压手环、机械硬盘、单片机、电子湿度计，NAND FLASH与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：XTSDG04GWSIGA
品牌：芯天下(XTX)
分类：NAND FLASH
参数：封装:WSON-8(8x6)

应用场景

NAND FLASH可应用场景，如不间断电源（UPS）、手机充电器、电子血压手环、集成电路板、电动自行车控制器、视频线材、智能手机、交换机等，想要了解更多NAND FLASH相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
XT61M2G8D2TA-B8BEA	封装:BGA-162(8x10.5) 存储容量:2Gbit 时钟频率(fc):533MHz 工作电压:1.7V~1.9V 写周期时间(TW):25ns
XTSDG08GWSIGA	封装:WSON-8-EP(6x8) 存储容量:8Gbit 工作电压:2.7V~3.6V 工作温度:-40℃~+85℃ 接口类型:SD2.0
XTSDQ08GWSIGA	封装:WSON-8-EP(8x6) 存储容量:8Gbit 工作电压:1.7V~1.95V 工作温度:-40℃~+85℃ 接口类型:SD2.0
XTSDG02GWSIGA	封装:WSON-8
XT26G08DWSIGA	封装:WSON-8(8x6)
XTSDQ01GWSIGA	封装:WSON-8-EP(6x8) 存储容量:1Gbit 工作电压:1.7V~1.95V 工作温度:-40℃~+85℃ 接口类型:SD2.0
XT26G02CWSIGA	封装:WSON-8 存储容量:2Gbit 时钟频率(fc):104MHz 工作电压:2.7V~3.6V 写周期时间(TW):25ns
XT26G01DWSIGA	封装:WSON-8-EP(8x6) 存储容量:1Gbit 时钟频率(fc):120MHz 工作电压:2.7V~3.6V 写周期时间(TW):25ns
XT26G01DLAIGA	封装:LGA-8(6x5) 存储容量:1Gbit 时钟频率(fc):120MHz 工作电压:2.7V~3.6V 写周期时间(TW):25ns
XT61M4G8D2TA-B8BEA	封装:BGA-162(8x10.5) 存储容量:4Gbit 时钟频率(fc):533MHz；166MHz；400MHz；333MHz；200MHz；466MHz；266MHz 工作电压:1.7V~1.95V 写周期时间(TW):25ns

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