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XT26G08DWSIGA_XTX_芯天下_WSON8_NAND FLASH

XT26G08DWSIGA 型号参数

XT26G08DWSIGA是品牌XTX芯天下，研发制造的NAND FLASH产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电动车充电器、汽车电子控制系统、电子胎心监测仪、平板电脑、音响设备，NAND FLASH与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：XT26G08DWSIGA
品牌：芯天下(XTX)
分类：NAND FLASH
参数：封装:WSON-8(8x6)

应用场景

NAND FLASH可应用场景，如移动硬盘、安防摄像头、显卡、心电图仪、电子血压计、调音台、射频连接器、网络适配器等，想要了解更多NAND FLASH相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
PN27G04ABGITG	封装:BGA-24 存储容量:4Gbit 工作电压:2.7V~3.6V 写周期时间(TW):25ns 页写入时间(TPP):300us
XT61M4G8D2TA-B8BEA	封装:BGA-162(8x10.5) 存储容量:4Gbit 时钟频率(fc):533MHz；166MHz；400MHz；333MHz；200MHz；466MHz；266MHz 工作电压:1.7V~1.95V 写周期时间(TW):25ns
XT26G01CWSIGA	封装:WSON-8(6x8) 存储容量:1Gbit 时钟频率(fc):104MHz 工作电压:2.7V~3.6V 页写入时间(TPP):360us
XT27G04ATSIGA	封装:TSOP-48
XTSDG02GWSIGA	封装:WSON-8
XT61M2G8D2TA-B8BEA	封装:BGA-162(8x10.5) 存储容量:2Gbit 时钟频率(fc):533MHz 工作电压:1.7V~1.9V 写周期时间(TW):25ns
XT26G12DWSIGA	封装:WSON-8-EP(6x8) 存储容量:2Gbit 时钟频率(fc):120MHz 工作电压:2.7V~3.6V 页写入时间(TPP):360us
XT26G02CWSIGA	封装:WSON-8 存储容量:2Gbit 时钟频率(fc):104MHz 工作电压:2.7V~3.6V 写周期时间(TW):25ns
XT26G01DWSIGA	封装:WSON-8-EP(8x6) 存储容量:1Gbit 时钟频率(fc):120MHz 工作电压:2.7V~3.6V 写周期时间(TW):25ns
PN27G02BBGITG	封装:BGA-24(6x8) 存储容量:2Gbit 时钟频率(fc):40MHz 工作电压:2.7V~3.6V 写周期时间(TW):25ns

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