WSD3075DN56_WINSOK_微硕_DFN8_5X6MM_MOSFETs

WSD3075DN56_WINSOK_微硕_DFN8_5X6MM_MOSFETs

WSD3075DN56 型号参数

WSD3075DN56是品牌WINSOK微硕，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如汽车电子控制系统、智能照明系统、安防摄像头、功放器、安防监控系统，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：WSD3075DN56
品牌：微硕(WINSOK)
分类：MOSFETs
参数：N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：75A

应用场景

MOSFETs可应用场景，如电子温度计、电子气压计、显示器、电子游戏机手柄、音响设备、功放设备、稳压电源、笔记本电脑等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
WSR60N06	MOSFET TO220AB N-Channel ID=60A
WSF3036A	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：32A 功率(Pd)：18W
WSR10N65F	N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：10A 功率(Pd)：39W
WSD1216DN22	MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±8V ID=9.4A RDS(ON)=15mΩ@4.5V DFN6_2X2MM_EP
WSE9968A	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=4.2A RDS(ON)=130mΩ SOT89
WSP6067	MOS管 N-channel,P-channel VDS=60V VGS=±20V ID=6.5A,4.5A RDS(ON)=36mΩ,75mΩ@10V SOP8_150MIL
WSF09N20G	N沟道漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：9A 功率(Pd)：96W
WSD3045DN	MOS管 N-Channel, P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=18A,15.3A RDS(ON)=10.5mΩ,24mΩ@10V
WST2066	MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=7.2A RDS(ON)=18mΩ@4.5V SOT23-6L
WSP8205	MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=6A RDS(ON)=27mΩ@10V TSSOP8

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