WSD2098DN_WINSOK_微硕_DFN2x3A-6_MOSFETs

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WSD2098DN 型号参数

WSD2098DN是品牌WINSOK微硕，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子助听器、智能手机、功放器、心电图仪、显示器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：WSD2098DN
品牌：微硕(WINSOK)
分类：MOSFETs
参数：2N沟道 VDS=20V VGS=±12V ID=9.7A P=1W 2通路

应用场景

MOSFETs可应用场景，如电路板、实验室离心机、无人机、电动自行车控制器、人脸识别设备、模拟信号处理器（ASP）、遥控器、电子翻译器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
WST02N20	MOSFET SOT23-6 N-Channel ID=1.2A
WST2316A	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5.5A RDS(ON)=32mΩ@4.5V SOT23-3
WSK250N03	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=250A RDS(ON)=2.5mΩ@10V TO263
WSD4050DN	MOS管 N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=50A RDS(ON)=9.5mΩ@10V
WST3392	MOS管 Dual N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=3.7A RDS(ON)=73mΩ@4.5V SOT23-6L
WSD14N10DN	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：14A 功率(Pd)：17W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：110mΩ@10V
WSD3066DN33	MOSFETs N-沟道 30V 66A DFN8_3.3X3.3MM_EP
WST8205A	2个N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：32mA 功率(Pd)：2.1W
WSF35P06	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：13.5A 功率(Pd)：31.3W
WSP4807	MOS管 Dual P-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=8.9A RDS(ON)=21mΩ@10V SOP8_150MIL

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