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VBJ2102M_VBsemi_微碧_SOT-223-3_MOSFETs

VBJ2102M 型号参数

VBJ2102M是品牌VBsemi微碧，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子驱蚊器、复印机、 GPS定位器、电视机、射频连接器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：VBJ2102M
品牌：微碧(VBsemi)
分类：MOSFETs
参数：MOS管 P-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=2A RDS(ON)=200mΩ@10V SOT223

应用场景

MOSFETs可应用场景，如电子罗盘、电子榨汁机、手机、内存条、计算机、蓝牙耳机、耳机、音频信号处理器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
AO7400	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4A RDS(ON)=40mΩ@4.5V SOT323
XP161A1355PR	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6.8A RDS(ON)=22mΩ@4.5V SOT89-3
NTF3055-100T1G-VB	MOS管 N沟道 VDS=60V VGS=±20V ID=4.5A RDS(ON)=85mΩ@3A,4.5V SOT223
AP2306AGN	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT23
TN2404K-T1-E3-VB	MOSFETs N沟道耐压:200V 电流:1A SOT-23
IRLML0060TRPBF	MOSFETs 1个N沟道耐压:60V 电流:4A SOT-23
IRLML6402TRPBF	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
TPC8204-VB	场效应管 (MOSFET) 场效应管(MOSFET) N—Channel沟道,20V,8A,RDS(ON),15mΩ@10V,22mΩ@4.5V,30mΩ@2.5V,12Vgs(±V)；0.9Vth(V) 封装：SOP8
2SJ337	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=7.9A RDS(ON)=72mΩ@4.5V TO251
AO3414	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23

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