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SQJ459EP-T1_GE3_Vishay_威世_PPAK8_4.9X4.37MM_MOSFETs

SQJ459EP-T1_GE3 型号参数

SQJ459EP-T1_GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如智能照明系统、集成电路板、电子游戏机手柄、电子助听器、示波器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如心电图仪、单片机、调制解调器、交流电源、无线网卡、路由器、电子气压计、电子净水器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
IRFBC30PBF	通孔 N 通道 600 V 3.6A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
SQ2309ES-T1_GE3	表面贴装型 P 通道 60 V 1.7A（Tc） 2W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
SI1308EDL-T1-GE3	MOSFET SOT323 N-Channel ID=1.4A
IRFD9120PBF	通孔 P 通道 100 V 1A（Ta） 1.3W（Ta） 4-HVMDIP
SI4401DDY-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=10.2A RDS(ON)=15mΩ@10V SOIC8_150MIL
SI7117DN-T1-E3	表面贴装型 P 通道 150 V 2.17A（Tc） 3.2W（Ta），12.5W（Tc） PowerPAK® 1212-8
SI4634DY-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 24.5A（Tc） 2.5W（Ta），5.7W（Tc） 8-SOIC
IRF740PBF	通孔 N 通道 400 V 10A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
SI2304BDS-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 2.6A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
SI2325DS-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=150V VGS=±20V ID=530mA RDS(ON)=1.2Ω@10V SOT23-3

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