SQJ459EP-T1_GE3_Vishay_威世_PPAK8_4.9X4.37MM_MOSFETs

SQJ459EP-T1_GE3 型号参数

SQJ459EP-T1_GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子烤箱温度计、智能手表、电子温度计、电子咖啡机、电子助听器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子翻译器、电子阅读器、示波器、手机充电器、扫地机器人、电子白板、 USB闪存盘、遥控器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SIZ340DT-T1-GE3	MOSFET - 阵列 2 个 N 通道（半桥） 30V 30A，40A 16.7W，31W 表面贴装型 8-Power33（3x3）
SI2371EDS-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±12V ID=3.7A RDS(ON)=45mΩ@10V SOT23-3
SUM110P06-08L-E3	表面贴装型 P 通道 60 V 110A（Tc） 3.75W（Ta），272W（Tc） TO-263（D²Pak）
IRF610PBF	通孔 N 通道 200 V 3.3A（Tc） 36W（Tc） TO-220AB
SI2303CDS-T1-GE3	表面贴装型 P 通道 30 V 2.7A（Tc） 1W（Ta），2.3W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
SI2301CDS-T1-E3	MOSFET SOT23-3 P-Channel ID=3.1A
IRFB20N50KPBF	通孔 N 通道 500 V 20A（Tc） 280W（Tc） TO-220AB
IRF9540PBF	通孔 P 通道 100 V 19A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
SI2302DDS-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=2.1A RDS(ON)=57mΩ@4.5V SOT23-3
SI2301CDS-T1-GE3	表面贴装型 P 通道 20 V 3.1A（Tc） 860mW（Ta），1.6W（Tc） SOT-23-3（TO-236）

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