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SL18N50F_Slkor_萨科微_TO220F_MOSFETs

SL18N50F 型号参数

SL18N50F是品牌Slkor萨科微，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如烟雾报警器、复印机、摄像头、手机充电器、安防监控系统，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如冰箱、逆变器、 USB闪存盘、话筒（麦克风）、光纤连接器、吉他效果器、电子门禁卡、电子血压计等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
BSS138	SOT23 225mW
SL18N50F	MOS管 N-Channel VDS=500V VGS=±30V ID=18A RDS(ON)=320mΩ@10V TO220F
2N7002E	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA
BSN20	MOS管 N-Channel VDS=50V VGS=±20V ID=300mA RDS(ON)=1.3Ω SOT23
2N7002	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA
SL2312	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：5A 功率(Pd)：1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：25mΩ@4.5V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250uA
BSS84	SOT23 200mW
SL3401	P沟道功率MOSFET
2SK3018W	N沟道增强型场效应晶体管 SOT323 30V 300mA
SL10N65F	N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：10A 功率(Pd)：41.8W

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