SI2307DS-T1-GE3-VB_VBsemi_微碧_SOT-23_MOSFETs

SI2307DS-T1-GE3-VB 型号参数

SI2307DS-T1-GE3-VB是品牌VBsemi微碧，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如内存条、 MRI扫描仪、游戏机、电子加湿器、智能家居控制系统，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如变压器、台式电脑主机、电子罗盘、手机充电器、不间断电源（UPS）、电子加湿器、电动车、摄像头等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
AO3460	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=250mA RDS(ON)=3.1Ω@4.5V SOT23
AP2306AGN	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT23
AO4404	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=9A RDS(ON)=11mΩ@4.5V SOP-8
WPM2341A-3/TR	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
IRLML0060TRPBF	MOSFETs 1个N沟道耐压:60V 电流:4A SOT-23
IRF7425TR	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=10.9A RDS(ON)=15mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
IRFTS9342TRPBF-VB	MOSFETs P沟道耐压:30V SOT23-6
SI2302DS-T1-GE3-VB	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23
VBJ1101M	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=45A RDS(ON)=120mΩ@4.5V SOT223
TK40P03M1-VB	MOSFETs N沟道耐压:30V 电流:80A TO-252

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