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SI2305CDS-T1-GE3_VBsemi_微碧_SOT-23_MOSFETs

SI2305CDS-T1-GE3 型号参数

SI2305CDS-T1-GE3是品牌VBsemi微碧，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如摩托车、内存条、网卡、音频信号处理器、光纤连接器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：SI2305CDS-T1-GE3
品牌：微碧(VBsemi)
分类：MOSFETs
参数：MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23

应用场景

MOSFETs可应用场景，如触摸屏、电子除湿机、电子翻译器、电动车充电器、实验室离心机、专用集成电路（ASIC）、示波器、网卡等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
SI2302CDS-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23
FDS4435BZ-NL-VB	MOSFETs P沟道耐压:30V 电流:9A SO-8
IRF640NPBF	MOS管 N-Channel VDS=200V VGS=±20V ID=20A RDS(ON)=152mΩ@4.5V TO220AB
APM2701ACC-TRG	MOS管 N-Channel, P-Channel VDS=20V VGS=±20V ID=5.5A,3.4A RDS(ON)=30mΩ,79mΩ@4.5V SOT23-6
VBL2658	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=35A RDS(ON)=48mΩ@10V TO263
CEM9936A	MOS管 Dual N-channel VDS=30V VGS=±20V ID=6.2A RDS(ON)=26mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
SI4435DY-T1-E3	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=7A RDS(ON)=24mΩ@4.5V SOP-8
FDG6303N	MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=2.3A RDS(ON)=86mΩ@4.5V SOT363
MEM2302	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23
AO6604	MOS管 N+P Channel VDS=20V VGS=±20V ID=5.5A,3.4A TSOP6

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