SI2305ADS-T1-GE3_VBsemi_微碧_SOT-23_MOSFETs

SI2305ADS-T1-GE3_VBsemi_微碧_SOT-23_MOSFETs

SI2305ADS-T1-GE3 型号参数

SI2305ADS-T1-GE3是品牌VBsemi微碧，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电动车充电器、音频信号处理器、人脸识别设备、调制解调器、逆变器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：SI2305ADS-T1-GE3
品牌：微碧(VBsemi)
分类：MOSFETs
参数：MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23

应用场景

MOSFETs可应用场景，如红外感应器、智能家居控制器、数码相机、音响设备、 LED显示器、话筒（麦克风）、音频信号处理器、机器人等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
FDC6321C	MOS管 N+P Channel VDS=20V VGS=±20V ID=5.5A,3.4A TSOP6
IRLML6302TRPBF	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
NTF3055-100T1G-VB	MOS管 N沟道 VDS=60V VGS=±20V ID=4.5A RDS(ON)=85mΩ@3A,4.5V SOT223
VB4290	MOS管 Dual P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=3.6A RDS(ON)=75mΩ@4.5V TSOP6
BSL302SN	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.5A RDS(ON)=27mΩ@4.5V TSOP6
VBK4223N	MOS管 Dual P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=1.6A RDS(ON)=155mΩ@4.5V SOT363
IRF5803TRPBF	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=4A RDS(ON)=54mΩ@4.5V SOT23-6
FDD8896-VB	MOSFETs N沟道耐压:30V 电流:100A TO-252-2
AP2305GN	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
SI4482DY-VB	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=5.5A RDS(ON)=36mΩ@10V SOIC8_150MIL

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