SI2302DS-T1-GE3_VBsemi_微碧_SOT-23_MOSFETs

SI2302DS-T1-GE3 型号参数

SI2302DS-T1-GE3是品牌VBsemi微碧，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 MRI扫描仪、电子咖啡机、电饭煲、电子门禁卡、计算机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子琴、电磁炉、电子温度计、烤箱、复印机、功放器、逻辑分析仪、打印机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
FDS4935BZ-NL&38-VB	MOSFETs 2个P沟道耐压:30V 电流:7.3A SO-8
2SJ337	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=7.9A RDS(ON)=72mΩ@4.5V TO251
2SK1590	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=250mA RDS(ON)=3.1Ω@4.5V SOT23
MT4606	MOS管 N+P Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6.8A,6.6A SOIC8_150MIL
IRLML6246TRPBF	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23
RU30L30M	MOSFETs P沟道耐压:30V 电流:35A QFN8_3X3MM_EP
IRFR3411TRPBF-VB	MOSFETs N沟道耐压:100V 电流:40A TO-252
BS170FTA	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=250mA RDS(ON)=3.1Ω@4.5V SOT23
FDC6321C	MOS管 N+P Channel VDS=20V VGS=±20V ID=5.5A,3.4A TSOP6
IRLML2402TRPBF	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23

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