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SI2302DS-T1-GE3_VBsemi_微碧_SOT-23_MOSFETs

SI2302DS-T1-GE3 型号参数

SI2302DS-T1-GE3是品牌VBsemi微碧，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如摄像机、触摸屏、冰箱、吉他效果器、单片机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：SI2302DS-T1-GE3
品牌：微碧(VBsemi)
分类：MOSFETs
参数：MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23

应用场景

MOSFETs可应用场景，如网络适配器、电子罗盘、手机充电器、耳机、电子咖啡机、指纹识别器、电子秤、 B超机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
SSF2341E	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
MEM2302	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23
KD2310	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=3.1A RDS(ON)=86mΩ@4.5V SOT23
ZXMN6A11DN8TA-VB	MOSFETs 双N沟道耐压:60V 电流:7A SO-8
IRLR7843TRPBF	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=35.8A RDS(ON)=3mΩ@4.5V TO252AA
HAT2029R	MOS管 Dual N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6.2A RDS(ON)=26mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
VBM2625	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=9.2A RDS(ON)=26mΩ@4.5V TO220AB
ST2300S23RG	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23
IRFR3411TRPBF-VB	MOSFETs N沟道耐压:100V 电流:40A TO-252
IRLML5103TRPBF-VB	MOSFETs P沟道耐压:30V SOT-23

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