SI2302DS-T1-GE3_VBsemi_微碧_SOT-23_MOSFETs

SI2302DS-T1-GE3 型号参数

SI2302DS-T1-GE3是品牌VBsemi微碧，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 USB闪存盘、单片机、路由器、数字信号处理器（DSP）、电路板，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如固态硬盘、笔记本电脑、游戏机、电视机、示波器、单片机、遥控器、 MP3播放器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
HAT2029R	MOS管 Dual N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6.2A RDS(ON)=26mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
FDN337N-NL	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
CEM4435A	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=7A RDS(ON)=24mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
FDS8447	MOS管 N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=12.4A RDS(ON)=12mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
AO3419	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
SI2302ADS-T1-GE3-VB	MOSFETs N沟道耐压:20V 电流:6A SOT-23
FDT434P-NL-VB
AO6801A	MOS管 Dual P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=3.6A RDS(ON)=75mΩ@4.5V TSOP6
VB1101M	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=3.6A RDS(ON)=141mΩ@4.5V SOT23
STS12NF30L-VB	MOSFETs N沟道耐压:30V SOP-8

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