SI2301DS-T1-GE3_VBsemi_微碧_SOT-23_MOSFETs

SI2301DS-T1-GE3_VBsemi_微碧_SOT-23_MOSFETs

SI2301DS-T1-GE3 型号参数

SI2301DS-T1-GE3是品牌VBsemi微碧，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如吸尘器、电子气压计、电子烤箱温度计、电子阅读器、烟雾报警器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：SI2301DS-T1-GE3
品牌：微碧(VBsemi)
分类：MOSFETs
参数：MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23

应用场景

MOSFETs可应用场景，如电子除螨仪、交换机、电子咖啡机、门禁系统、智能插座、触摸屏、机械硬盘、信号发生器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
AO3415A	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
APM2701ACC-TRG	MOS管 N-Channel, P-Channel VDS=20V VGS=±20V ID=5.5A,3.4A RDS(ON)=30mΩ,79mΩ@4.5V SOT23-6
FDN337N-NL	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
NTR4502PT1G-VB	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.4A RDS(ON)=54mΩ@4.5V SOT23
TPC8204-VB	场效应管 (MOSFET) 场效应管(MOSFET) N—Channel沟道,20V,8A,RDS(ON),15mΩ@10V,22mΩ@4.5V,30mΩ@2.5V,12Vgs(±V)；0.9Vth(V) 封装：SOP8
CEM9936A	MOS管 Dual N-channel VDS=30V VGS=±20V ID=6.2A RDS(ON)=26mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
VBE2625	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=50A RDS(ON)=20mΩ@10V TO252
VBK3215N	MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=2.3A RDS(ON)=86mΩ@4.5V SOT363
IRFTS9342TRPBF-VB	MOSFETs P沟道耐压:30V SOT23-6
FQPF13N50CF-VB	MOSFETs N沟道耐压:550V TO-220F

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