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SI1967DH-T1-GE3_VBsemi_微碧_SC-70-6_MOSFETs

SI1967DH-T1-GE3 型号参数

SI1967DH-T1-GE3是品牌VBsemi微碧，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如单片机、血糖仪、 LCD显示屏、 LED照明灯、电子白板，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：SI1967DH-T1-GE3
品牌：微碧(VBsemi)
分类：MOSFETs
参数：MOS管 Dual P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=1.6A RDS(ON)=155mΩ@4.5V SC-70-6

应用场景

MOSFETs可应用场景，如指纹识别器、电子血压手环、电动自行车控制器、数字信号处理器（DSP）、电子灭蚊灯、饮水机、心电图仪、红外感应器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
KD2310	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=3.1A RDS(ON)=86mΩ@4.5V SOT23
VBM2625	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=9.2A RDS(ON)=26mΩ@4.5V TO220AB
AO7600	MOS管 N+P Channel VDS=20V VGS=±20V ID=3.03A,2.58A SC70
MMBT7002K-VB	MOSFETs N沟道耐压:60V 电流:300mA SOT-23
SI2302DS-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23
APM2301AC	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
IRLML2803TRPBF	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT23
SFT1350.-VB	MOS管 P-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=50A RDS(ON)=15mΩ@4.5V TO252
VBK4223N	MOS管 Dual P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=1.6A RDS(ON)=155mΩ@4.5V SOT363
LR024N	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=16.9A RDS(ON)=83mΩ@4.5V TO252

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