PSMN1R1-30PL_127_Nexperia_安世_SOT78_MOSFETs

PSMN1R1-30PL_127_Nexperia_安世_SOT78_MOSFETs

PSMN1R1-30PL,127 型号参数

PSMN1R1-30PL,127是品牌Nexperia安世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如万用表、电子琴、电视机、气体报警器、电子白板，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：PSMN1R1-30PL,127
品牌：安世(Nexperia)
分类：MOSFETs
参数：MOS管 N-channel Id=120A VDS=30V SOT78

应用场景

MOSFETs可应用场景，如智能手表、电子琴、电子门禁卡、 DVD播放器、电子按摩器、电动车充电器、光纤连接器、手机充电器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
PMPB20XPEAX	MOS管 P-channel Id=7.2A VDS=20V DFN2020MD-6
BUK9660-100A,118	MOS管 N-channel Id=26A VDS=100V SOT404
PMPB13XNEAX	MOS管 N-channel Id=8A VDS=30V DFN2020MD-6
PSMN3R5-80ES,127	MOS管 N-channel Id=120A VDS=80V SOT226
PMV50UPEVL	MOS管 P-channel Id=3.7A VDS=20V TO-236AB
PMPB12UNEAX	MOS管 N-channel Id=7.9A VDS=20V DFN2020MD-6
BUK9615-100A,118	MOS管 N-channel Id=75A VDS=100V SOT404
PMV42ENER	MOSFETs 30V 500mW SMT SOT23 5.1A N-Channel
PMDT290UCE,115	类型：1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：800mA；550mA 功率(Pd)：330mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：290mΩ@4.5V,500mA；670mΩ@4.5V,400mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：750mV@250uA；800mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：450pC@4.5V；760pC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：55pF@10V；58pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：7pF@10V；
BUK9Y09-40B,115	MOS管 N-channel Id=75A VDS=40V SOT669

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