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PMGD280UN_115_Nexperia_安世_SOT-363_MOSFETs

PMGD280UN,115 型号参数

PMGD280UN,115是品牌Nexperia安世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如移动硬盘、蓝牙音箱、 LED显示器、电路板、电子签到系统，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如汽车、固态硬盘、安防监控系统、实验室离心机、智能照明系统、电子签到系统、 MRI扫描仪、 LCD显示屏等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
PMGD780SN,115	类型：2个N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：490mA 功率(Pd)：410mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：920mΩ@10V,300mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA
PSMN1R7-60BS,118	MOS管 N-channel Id=120A VDS=60V SOT404
PMPB10XNEAX	MOS管 N-channel Id=9A VDS=20V DFN2020MD-6
BUK7626-100B,118	MOS管 N-Channel Id=49A VDS=100V SOT404
PSMN041-80YLX	MOS管 N-channel Id=25A VDS=80V SOT669
PMZB600UNELYL	MOS管 N-channel Id=0.6A VDS=20V DFN1006B-3
PSMN2R0-60PSRQ	MOS管 N-channel Id=120A VDS=60V SOT78
PSMN6R9-100YSFX	MOS管 N-channel Id=90A VDS=100V SOT669
PMPB10ENZ	MOS管 N-channel Id=14A VDS=30V DFN2020MD-6
PHP18NQ11T,127	MOS管 N-Channel VDS=110V VGS=±20V ID=18A RDS(ON)=90mΩ@10V TO220AB

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