PMCM6501UNEZ_Nexperia_安世_WLCSP6_1.51X1.01MM_SM_MOSFETs

PMCM6501UNEZ_Nexperia_安世_WLCSP6_1.51X1.01MM_SM_MOSFETs

PMCM6501UNEZ 型号参数

PMCM6501UNEZ是品牌Nexperia安世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如烤箱、 USB闪存盘、摄像头、扫地机器人、电子助听器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：PMCM6501UNEZ
品牌：安世(Nexperia)
分类：MOSFETs
参数：MOS管 N-channel Id=8.7A VDS=20V WLCSP6_1.51X1.01MM_SM

应用场景

MOSFETs可应用场景，如声卡、心电图仪、电子灭蚊灯、数码相机、音频线材、内存条、投影仪、录像机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
PMCM4401VPEZ	MOS管 P-channel Id=4.9A VDS=12V WLCSP4_0.81X0.81MM_SM
PMV48XP,215	MOSFETs 20V 510mW SMT SOT23 3.5A P-Channel
BUK9620-55A,118	MOS管 N-channel Id=54A VDS=55V SOT404
PHD38N02LT,118	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=44.7A RDS(ON)=16mΩ@5V TO252
BUK7208-40B,118	MOS管 N-Channel Id=75A VDS=40V SOT428
PSMN2R0-30YLDX	MOS管 N-channel Id=100A VDS=30V SOT669
BSH203,215	MOSFETs 30V 3.00 x 1.40mm SMT SOT23 470mA
2N7002NXAKR	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=0.3A RDS(ON)=4.5Ω@10V SOT23-3
PMDT290UCE,115	类型：1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：800mA；550mA 功率(Pd)：330mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：290mΩ@4.5V,500mA；670mΩ@4.5V,400mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：750mV@250uA；800mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：450pC@4.5V；760pC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：55pF@10V；58pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：7pF@10V；
PSMN034-100BS,118	MOS管 N-channel Id=32A VDS=100V SOT404

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