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NTD2955T4G_ON_安森美_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

NTD2955T4G 型号参数

NTD2955T4G是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如扬声器、音频功率放大器、电子词典、万用表、空调，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：NTD2955T4G
品牌：安森美(ON)
分类：MOSFETs
参数：MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=12A RDS(ON)=180mΩ@10V TO252

应用场景

MOSFETs可应用场景，如扫描仪、音频线材、电子榨汁机、空调、电动自行车充电器、现场可编程门阵列（FPGA）、人脸识别设备、安防监控系统等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
FDN340P	表面贴装型 P 通道 20 V 2A（Ta） 500mW（Ta） SOT-23-3
2N7000TA	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=200mA RDS(ON)=5Ω@10V TO92-3L
FQU13N10LTU	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=10A RDS(ON)=180mΩ@10V TO251
MGSF1N03LT1G	表面贴装型 N 通道 30 V 1.6A（Ta） 420mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
NTD5805NT4G	MOS管 N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=51A RDS(ON)=9.5mΩ@10V TO252
NTD6414ANT4G	MOSFET–功率，N通道100 V，32 A，37 mΩ
NTZD3154NT1G	MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±7V ID=540mA RDS(ON)=550mΩ@4.5V SOT563
NTA4151PT1G	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：760mA 功率(Pd)：301mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：360mΩ@4.5V,350mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：450mV@250uA
FQA9N90C-F109	MOSFET N-Channel 900V 9A 1.4Ω
FQD2N60CTM	表面贴装型 N 通道 600 V 1.9A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） TO-252AA

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