MT29F2G08ABAEAH4-IT:E_micron_镁光_VFBGA63_NAND FLASH

MT29F2G08ABAEAH4-IT:E_micron_镁光_VFBGA63_NAND FLASH

MT29F2G08ABAEAH4-IT:E 型号参数

MT29F2G08ABAEAH4-IT:E是品牌micron镁光，研发制造的NAND FLASH产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如烟雾报警器、扫描仪、笔记本电脑、射频连接器、电子罗盘，NAND FLASH与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：MT29F2G08ABAEAH4-IT:E
品牌：镁光(micron)
分类：NAND FLASH
参数：封装:VFBGA-63 存储容量:2Gbit 工作电压:2.7V~3.6V 写周期时间(TW):20ns 页写入时间(TPP):200us

应用场景

NAND FLASH可应用场景，如热水器、电子计算器、触摸屏、吸尘器、电子加湿器、红外感应器、 GPS定位器、电子助听器等，想要了解更多NAND FLASH相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E	封装:TSOPI-48 存储容量:1Gbit 工作电压:2.7V~3.6V 写周期时间(TW):20ns 页写入时间(TPP):200us
MT29F1G01ABAFDWB-IT:F	封装:UPDFN-8 存储容量:1Gbit 时钟频率(fc):133MHz 工作电压:2.7V~3.6V 页写入时间(TPP):220us
MT29F2G01ABAGDWB-IT:G	封装:U-PDFN-8(6x8) 存储容量:2Gbit 时钟频率(fc):133MHz 工作电压:2.7V~3.6V 页写入时间(TPP):220us
MT29F2G08ABAEAWP:E	封装:TSOPI-48 存储容量:2Gbit 工作电压:2.7V~3.6V 写周期时间(TW):20ns 页写入时间(TPP):200us
MT29F4G08ABADAWP:D	封装:TSOPI-48 存储容量:4Gbit 工作电压:2.7V~3.6V 写周期时间(TW):20ns 页写入时间(TPP):200us
MT29C4G96MAZBBCJV-48 IT	封装:VFBGA-168(12x12)
MT29F4G08ABAEAWP-IT:E	封装:TFSOP-48-18.4mm 存储容量:4Gbit 工作电压:2.7V~3.6V 写周期时间(TW):45ns 页写入时间(TPP):300us
MTFC16GAPALBH-IT TR	封装:TFBGA-153(11.5x13)
MT29F2G08ABAEAWP-IT:E	封装:TSOPI-48 存储容量:2Gbit 工作电压:2.7V~3.6V 写周期时间(TW):20ns 页写入时间(TPP):200us
MT29F2G08ABAEAH4-IT:E	封装:VFBGA-63 存储容量:2Gbit 工作电压:2.7V~3.6V 写周期时间(TW):20ns 页写入时间(TPP):200us

型号相关

热门型号