MMBT8550D(2TY)_ST_先科_SOT-23_通用三极管

MMBT8550D(2TY)_ST_先科_SOT-23_通用三极管

MMBT8550D(2TY) 型号参数

MMBT8550D(2TY)是品牌ST先科，研发制造的通用三极管产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如数字信号处理器（DSP）、整流器、电路板、手机、触摸屏，通用三极管与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：MMBT8550D(2TY)
品牌：先科(ST)
分类：通用三极管
参数：晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：350mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：500mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：160@100mA,1V 特征频率(fT)：100MHz 工作温度：+150℃@(Tj) PNP,Vceo=-25V,Ic=-600mA,hfe=160~400

应用场景

通用三极管可应用场景，如电动自行车充电器、电子助听器、游戏机、信号发生器、电子阅读器、电子胎心监测仪、电子血压手环、电子烤箱温度计等，想要了解更多通用三极管相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
BC847B(1F)	晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：45V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：300mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：600mV@100mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@2mA,5V 特征频率(fT)：300MHz 工作温度：+150℃@(Tj) PNP,Vceo=-45V,Ic=-100mA,hfe=200~450
MMBTSC945P(CR)	晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：150mA 功率(Pd)：200mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：300mV@100mA,10mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@1mA,6V 特征频率(fT)：300MHz 工作温度：+150℃@(Tj) NPN,Vceo=50V,Ic=150mA,hfe=200~400
2N5401	通用三极管 PNP 150V 600mA hFE=60~240 TO92
9018H	晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：15V 集电极电流(Ic)：50mA 功率(Pd)：400mW NPN,Vceo=15V,Ic=50mA,hfe=97~146
MMBT5551	通用三极管 NPN 160V 600mA hFE=80~250 SOT23
MMBT9014B	SOT23-3 NPN 100mA 45V 250mV 110~220 3Pins
MMBT9014D	三极管 NPN Ic=100mA Vceo=45V hfe=420~800 P=200mW SOT23
MMBTSC945P	NPN Vceo=50V Ic=150mA hfe=200~400 fT=300MHz P=200mW
2N5551	三极管 NPN Ic=600mA Vceo=180V hfe=80~250 P=625mW TO92
MMBT2222A	晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：40V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：350mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：1V@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：40@500mA,10V 特征频率(fT)：300MHz 工作温度：+150℃@(Tj) NPN

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