MMBF170_SK_台湾时科_SOT-23_MOSFETs

MMBF170 型号参数

MMBF170是品牌SK台湾时科，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如安防监控系统、频谱分析仪、集成电路板、 X光机、逆变器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如红外感应器、冰箱、实验室离心机、气体报警器、扫地机器人、电子榨汁机、电磁炉、电子秤等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
DMP3098L	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：3.8A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：55mΩ@10V
NTR4501N	N沟道增强型MOSFET
SK2306	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：3.6A 功率(Pd)：1.7W
MMBF170	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=500mA RDS(ON)=5Ω@10V SOT23
SK360P	SOT23 P-Channel ±12Ｖ-30V -3.2A 50mΩ 2.90 x 1.30mm
SK3414	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.5A 功率(Pd)：1.4W
SK3416	N沟道漏源电压(Vdss)：16V 连续漏极电流(Id)：6A
SK2300A	N沟道漏源电压(Vdss)：16V 连续漏极电流(Id)：6A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：50mΩ@4.5V
NTR4502P	MOS管 P-Channel VDS=-20V VGS=±10V ID=-3A SOT23
NTR2101P	P沟道增强型MOSFET

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