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M24256E-FMN6TP_ST_意法半导体_SO8_EEPROM

M24256E-FMN6TP 型号参数

M24256E-FMN6TP是品牌ST意法半导体，研发制造的EEPROM产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如智能音箱、电子手表、 OLED显示屏、遥控器、 LCD显示屏，EEPROM与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：M24256E-FMN6TP
品牌：意法半导体(ST)
分类：EEPROM
参数：封装:SO-8 接口类型:I2C 存储容量:256Kbit 时钟频率(fc):1MHz 工作电压:1.6V~5.5V

应用场景

EEPROM可应用场景，如电子加湿器、触摸屏、计算机、 X光机、电子咖啡机、 LED显示器、音频信号处理器、蓝牙耳机等，想要了解更多EEPROM相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
M95010-RMN6TP	封装:SO-8 接口类型:SPI 存储容量:1Kbit 工作电压:1.8V~5.5V 写周期时间(Tw):5ms
M24C04-RMC6TG	封装:DFN-8-EP(2x3) 接口类型:I2C 存储容量:4Kbit 工作电压:1.8V~5.5V 写周期时间(Tw):5ms
M93C56-WMN6TP	封装:SOIC-8 存储容量:2Kbit 工作电压:2.5V~5.5V 写周期时间(Tw):5ms 数据保留-TDR(年):200年
M95M01-DFCS6TP/K	封装:WLCSP-8(1.7x2.6) 接口类型:SPI 存储容量:1Mbit 时钟频率(fc):2MHz~16MHz 工作电压:1.7V~5.5V
M24C02-WDW6TP	封装:TSSOP-8 接口类型:I2C 存储容量:2Kbit 工作电压:2.5V~5.5V 写周期时间(Tw):5ms
M24C04-WMN6P	封装:SO-8 接口类型:I2C 存储容量:4Kbit 工作电压:2.5V~5.5V 写周期时间(Tw):5ms
M24512-DFDW6TP	封装:TSSOP-8 接口类型:I2C 存储容量:512Kbit 时钟频率(fc):1MHz 工作电压:1.7V~5.5V
M24128-BRDW6TP	封装:TSSOP-8 接口类型:I2C 存储容量:128Kbit 工作电压:1.8V~5.5V 写周期时间(Tw):5ms
M93C86-WMN6TP	封装:SOIC-8 存储容量:16Kbit 工作电压:2.5V~5.5V 写周期时间(Tw):5ms 数据保留-TDR(年):200年
M24C16-WMN6TP	封装:SOIC-8 接口类型:I2C 存储容量:16Kbit 工作电压:2.5V~5.5V 写周期时间(Tw):5ms

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