K4B4G1646E-BCNB_SAMSUNG_三星半导体_FBGA96_DDR SDRAM
K4B4G1646E-BCNB 型号参数
K4B4G1646E-BCNB是品牌SAMSUNG三星半导体，研发制造的DDR SDRAM产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 信号发生器、 调制解调器、 扫描仪、 电子按摩器、 交换机 ，DDR SDRAM与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：K4B4G1646E-BCNB
- 品牌：三星半导体(SAMSUNG)
- 分类：DDR SDRAM
- 参数：封装:FBGA-96 存储器构架(格式):SDRAMDDR3 时钟频率(fc):1.066GHz 存储容量:4Gbit 工作电压:1.425V~1.575V
应用场景
DDR SDRAM可应用场景，如 音频信号处理器、 摩托车、 电动车、 手机充电器、 耳机、 话筒（麦克风）、 CT扫描仪、 功放设备 等，想要了解更多DDR SDRAM相关内容知识，可以关注我们。
选型表
