CSD88539ND_TI_德州仪器_SOIC8_150MIL_MOSFETs

CSD88539ND 型号参数

CSD88539ND是品牌TI德州仪器，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如摄像头、直流电源、遥控器、电子灭蚊灯、电子签到系统，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
CSD17577Q3A	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=35A RDS(ON)=4.8mΩ@10V VSONP8
CSD13381F4	N沟道漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：2.1A 功率(Pd)：500mW
CSD88537ND	MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
CSD17307Q5A	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=-8V,+10V ID=73A RDS(ON)=10.5mΩ@8V VSONP8
CSD17313Q2	WSON6_2X2MM
CSD17308Q3	表面贴装型 N 通道 30 V 14A（Ta），44A（Tc） 2.7W（Ta） 8-VSON-CLIP（3.3x3.3）
CSD17501Q5A	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=100A RDS(ON)=2.9mΩ@10V VSONP8
CSD88539ND	SOIC8_150MIL 2.1W
CSD25402Q3A	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=76A RDS(ON)=8.9mΩ@4.5V VSONP8
CSD17577Q5A	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=60A P=53W VSONP_5X6MM

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