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BUK9Y4R8-60E_115_Nexperia_安世_SOT669_MOSFETs

BUK9Y4R8-60E,115 型号参数

BUK9Y4R8-60E,115是品牌Nexperia安世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子温度计、液晶显示器、电源供应器、电动工具、话筒（麦克风），MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：BUK9Y4R8-60E,115
品牌：安世(Nexperia)
分类：MOSFETs
参数：MOS管 N-channel Id=100A VDS=60V SOT669

应用场景

MOSFETs可应用场景，如逻辑分析仪、移动硬盘、烟雾报警器、交换机、电子按摩器、吉他效果器、数字信号处理器（DSP）、智能照明系统等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
PSMN6R0-25YLB,115	MOS管 N-channel Id=73A VDS=25V SOT669
PMF370XN,115	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：870mA 功率(Pd)：560mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：440mΩ@4.5V,200mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA
PMZ600UNEZ	MOS管 N-channel Id=0.6A VDS=20V DFN1006-3
BUK964R1-40E,118	MOS管 N-channel Id=75A VDS=40V SOT404
BUK6D81-80EX	MOS管 N-Channel Id=9.8A VDS=80V DFN2020MD‑6
PMN50EPEX	MOS管 P-channel Id=6A VDS=30V TSOP6
BUK7210-55B,118	MOS管 N-Channel Id=75A VDS=55V SOT428
PSMN2R0-30YL,115	MOS管 N-channel Id=100A VDS=30V SOT669
PMPB29XNEAX	MOS管 N-channel Id=5A VDS=30V DFN2020MD-6
PMDT290UCE,115	类型：1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：800mA；550mA 功率(Pd)：330mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：290mΩ@4.5V,500mA；670mΩ@4.5V,400mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：750mV@250uA；800mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：450pC@4.5V；760pC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：55pF@10V；58pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：7pF@10V；

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