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AP3N1R8MT_APEC_富鼎_PMPAK5X6_MOSFETs

AP3N1R8MT 型号参数

AP3N1R8MT是品牌APEC富鼎，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电动车充电器、固态硬盘、手机充电器、蓝牙音箱、心电图仪，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如蓝牙音箱、录像机、电子胎心监测仪、智能门锁、电子搅拌器、 USB闪存盘、智能家居控制器、电路板等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
AP9977GH	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±25V ID=11A RDS(ON)=100mΩ@10V TO252
AP2301GN	p通道增强模式 VDS=20V VGS=±12V ID=2.6A SOT23
AP95T07GP-HF	N沟道增强型功率MOSFET
AP2315GEN	P沟道增强型功率MOSFET SOT23S VDS=30V VGS=±16V ID=0.84A
AP2306GN	N沟道增强型功率MOSFET VDS=20V VGS=±12V ID=5.3A SOT23
AP9565BGH	P沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：17A 功率(Pd)：25W
AP15P10GH-HF	P通道增强模式
AP2310GN	SOT23 1.38W
AP3N1R8MT	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：40.6A 功率(Pd)：5W PMPAK5X6
AP83T03GH	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：75A 功率(Pd)：60W

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