2N7002E_Slkor_萨科微_SOT-23_MOSFETs

2N7002E_Slkor_萨科微_SOT-23_MOSFETs

2N7002E 型号参数

2N7002E是品牌Slkor萨科微，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如显示器、模拟信号处理器（ASP）、微波炉、智能家居控制器、功放设备，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：2N7002E
品牌：萨科微(Slkor)
分类：MOSFETs
参数：类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA

应用场景

MOSFETs可应用场景，如智能手机、智能手表、不间断电源（UPS）、频谱分析仪、 USB闪存盘、电子榨汁机、稳压电源、调音台等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
SL2305	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：55mΩ@4.5V,4.1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA
SL3407	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：65mΩ@10V,4.1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250uA
BSS123	SOT23 250mW
SL16N65F	MOS管 N-Channel VDS=650V VGS=±30V ID=16A RDS(ON)=490mΩ@10V TO220F
2N7002KT	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=100mA Pd=150mW SOT23
SL10N65F	N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：10A 功率(Pd)：41.8W
2SK3018	30V 100mA 7.5mΩ@10V,400mA 200mW 2V@100uA N Channel 50pF@25V +150℃@(Tj) SOT-23
2N7002E	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA
NTR4003N	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：560mA 功率(Pd)：690mW
2SK3018W	N沟道增强型场效应晶体管 SOT323 30V 300mA

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