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2N7002DW_YANGJIE_扬杰科技_SOT-363_MOSFETs

2N7002DW 型号参数

2N7002DW是品牌YANGJIE扬杰科技，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电磁炉、心电图仪、电子签到系统、门禁系统、单片机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：2N7002DW
品牌：扬杰科技(YANGJIE)
分类：MOSFETs
参数：类型：2个N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：340mA 功率(Pd)：350mW

应用场景

MOSFETs可应用场景，如不间断电源（UPS）、虚拟现实头盔、示波器、电子签到系统、液晶显示器、智能手表、游戏机、电子搅拌器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
YJL2312A	N沟道增强型场效应晶体管 20V 6.8A 13.5mΩ@4.5V,6.8A 1.2W 620mV@250uA 75pF@10V N Channel 900pF@10V 9.2nC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23-3L
YJL2301C	P沟道增强型场效应晶体管 20V 3.4A 49mΩ@4.5V,3.4A 1W 620mV@250uA 65pF@10V P Channel 550pF@10V 4.3nC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23-3L
YJL3407A	P沟道增强型场效应晶体管 30V 4.1A 55mΩ@10V,4.1A 1.2W 2.4V@250uA P Channel SOT-23
YJS05N06A	MOSFETs 2个N沟道耐压:60V 电流:5A SOP8_150MIL
BSS84	60V 170mA 3.3Ω@10V,150mA 225mW 1.4V@250uA 5pF@30V P Channel 30pF@30V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23-3
YJL1012E	n通道增强模场效应晶体管
2N7002DW	类型：2个N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：340mA 功率(Pd)：350mW
2N7002KC	N沟道增强型场效应晶体管 60V 300mA 1.9Ω@10V,300mA 300mW 1.5V@250uA 2pF@30V N Channel 27pF@30V 1.65nC@10V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23
YJL2305B	P沟道增强型场效应晶体管
YJL3139KAT	MOSFETs P-沟道 20V 500mA SOT-723-3

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