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WSD2018DN22_WINSOK_微硕_DFN6_2X2MM_EP_MOSFETs

WSD2018DN22 型号参数

WSD2018DN22是品牌WINSOK微硕，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 B超机、汽车电子控制系统、笔记本电脑、烟雾报警器、电子气压计，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：WSD2018DN22
品牌：微硕(WINSOK)
分类：MOSFETs
参数：MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±10V ID=12A RDS(ON)=15mΩ@4.5V

应用场景

MOSFETs可应用场景，如智能安防摄像头、蓝牙音箱、电子签到系统、电子助听器、电动自行车、单片机、红外感应器、 MRI扫描仪等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
WST3414	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=6A RDS(ON)=30mΩ@4.5V SOT23-3
WSP08N10	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=7A RDS(ON)=51mΩ@10V SOP8_150MIL
WSF09N20G	N沟道漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：9A 功率(Pd)：96W
WSD20L120DN56	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±10V ID=120A RDS(ON)=2.7mΩ@4.5V
WSD1216DN22	MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±8V ID=9.4A RDS(ON)=15mΩ@4.5V DFN6_2X2MM_EP
WSD30100DN56	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=100A RDS(ON)=4mΩ@10V
WSD14N10DN	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：14A 功率(Pd)：17W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：110mΩ@10V
WSP06N10	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=4.5A RDS(ON)=105mΩ@10V SOP8_150MIL
WSP4953	MOS管 Dual P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A RDS(ON)=90mΩ@10V SOP8_150MIL
WSP8810	MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=7.5A RDS(ON)=14.5mΩ@10V TSSOP8

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