SL11N65CF是品牌Slkor萨科微，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 电子血压计、 显示器、 交流电源、 USB闪存盘、 电子门禁卡 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：SL11N65CF
- 品牌：萨科微(Slkor)
- 分类：MOSFETs
- 参数：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：11.5A 功率(Pd)：32.6W
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 电子翻译器、 MRI扫描仪、 机械硬盘、 电子血压手环、 电动自行车充电器、 智能照明系统、 录像机、 冰箱 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| 2N7002KT | MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=100mA Pd=150mW SOT23 |
| IRLML6401 | MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±12V ID=4.2A RDS(ON)=70mΩ@4.5V SOT23 |
| SL2305 | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：55mΩ@4.5V,4.1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA |
| SL18N50F | MOS管 N-Channel VDS=500V VGS=±30V ID=18A RDS(ON)=320mΩ@10V TO220F |
| SL3401S | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：60mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.3V@250uA |
| 2SK3018W | N沟道增强型场效应晶体管 SOT323 30V 300mA |
| SL2308 | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：1.8A 功率(Pd)：1.25W |
| BSS84 | SOT23 200mW |
| BSN20 | MOS管 N-Channel VDS=50V VGS=±20V ID=300mA RDS(ON)=1.3Ω SOT23 |
| SL2300 | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4.2A 功率(Pd)：1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：30mΩ@4.5V,4.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250uA |
