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SI4866DY-T1-E3-VB_VBsemi_微碧_SOP-8_MOSFETs

SI4866DY-T1-E3-VB 型号参数

SI4866DY-T1-E3-VB是品牌VBsemi微碧，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子厨房计时器、智能家居控制系统、计算机、 CT扫描仪、智能音箱，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：SI4866DY-T1-E3-VB
品牌：微碧(VBsemi)
分类：MOSFETs
参数：MOSFETs N沟道耐压:30V 电流:18A SOP-8

应用场景

MOSFETs可应用场景，如电子空气净化器、电子罗盘、安防监控系统、电子厨房计时器、智能安防摄像头、数字信号处理器（DSP）、智能照明系统、手机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
STN3NF06L	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT223
SI2300DS-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23
VBE2658	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=35A RDS(ON)=58mΩ@4.5V TO252AA
AO4816	MOS管 Dual N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=7.2A RDS(ON)=20mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
AO4470-VB	MOSFETs N-沟道 SO-8
AO3423	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
CEM4435A	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=7A RDS(ON)=24mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
FDS4435A-NL-VB	MOSFETs P沟道耐压:30V 电流:9A SO-8
NTR4170NT1G	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT23
FDS6575-VB	MOSFETs P沟道耐压:20V 电流:13A SO-8

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