品牌:Toshiba东芝 分类:MOSFETs
描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):200mA 功率(Pd):100mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.2Ω@4.5V,100mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@1mA
品牌:Toshiba东芝 分类:MOSFETs
描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):100mA 功率(Pd):100mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.6Ω@4V,10mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@100uA
品牌:ROHM罗姆 分类:通用三极管
描述:通用三极管 NPN Ic=500mA Vceo=12V hfe=270~680 P=150mW SOT416
品牌:ROHM罗姆 分类:带预偏置三极管
描述:带预偏置三极管 NPN Ic=100mA Vceo=50V hfe=100~600 P=150mW SOT416
品牌:ON安森美 分类:MOSFETs
描述:类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):760mA 功率(Pd):301mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):360mΩ@4.5V,350mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):450mV@250uA
品牌:ON安森美 分类:通用三极管
描述:三极管 NPN Ic=200mA Vceo=40V hfe=100~300 P=300mW SOT416
品牌:ON安森美 分类:通用三极管
描述:通用三极管 PNP Vceo=40V Ic=200mA VCE(sat)=400mV@50mA,5mA hFE=100@10mA,1V
品牌:ROHM罗姆 分类:MOSFETs
描述:Nch 20V 200mA小信号MOSFET N-CH 20V 0.2A EMT3
品牌:ROHM罗姆 分类:通用三极管
描述:晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 50 V 100 mA 350MHz 150 mW 表面贴装型 EMT3F(SOT-416FL)