MOS管,也称为金属-氧化物-半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),是一种可以控制电流流动强弱的电子元件。如同一个水龙头,可以调节水流的大小,只是MOS管控制的是电流。
MOS管主要由四个部分组成:
源极(Source,S): 电流的流入端。
漏极(Drain,D): 电流的流出端。
栅极(Gate,G): 控制电流强弱的开关。
衬底(Body,B): 通常与源极连接。
想象一下,栅极和衬底之间隔着一层绝缘层,就像水龙头的手柄和阀门之间隔着一层橡胶垫。当我们在栅极施加电压时,就像旋转手柄,就会在绝缘层下方产生一个电场。这个电场会吸引或排斥衬底中的载流子(电子或空穴),从而改变源极和漏极之间的导电性,控制电流的流通。
MOS管的电流走向取决于其类型:
1. N沟道增强型MOS管:
当栅极电压高于阈值电压时,会在衬底靠近栅极的地方形成导电沟道,电子就像水流一样从源极流向漏极。
栅极电压越高,沟道中的电子浓度越高,电流越大。
反之,当栅极电压低于阈值电压时,沟道消失,电流无法流动。
2. P沟道增强型MOS管:
与N沟道相反,当栅极电压低于阈值电压时,会在衬底靠近栅极的地方形成导电沟道,空穴就像水流一样从源极流向漏极。
栅极电压越低,沟道中的空穴浓度越高,电流越大。
反之,当栅极电压高于阈值电压时,沟道消失,电流无法流动。
MOS管通过栅极电压控制电流的流通,如同电子世界中的开关。 了解MOS管的工作原理及电流走向,对于理解电子电路的工作机制很重要。
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