碳化硅二极管是高性能的半导体器件，应用于电力电子和高温环境中。其主要参数包括反向击穿电压、正向导通电压、反向恢复时间和工作温度范围。反向击穿电压是指二极管在反向偏置下能够承受的最大电压，碳化硅二极管通常具有较高的击穿电压，常见的可达到600V、1200V甚至更高。正向导通电压是指在正向偏置下流过二极管时的电压降，碳化硅二极管的正向导通电压通常低于硅二极管，有助于提高电能转换效率。反向恢复时间是指二极管从导通状态转变为截止状态所需的时间，碳化硅二极管具有较短的反向恢复时间，适合高频应用。碳化硅二极管的工作温度范围通常在-55°C到+175°C之间，适应性强。综合来看，碳化硅二极管优异的性能在现代电子设备中占据了重要地位。