铁电存储器（FRAM）是新型的非易失性存储器，结合了快速写入、高耐久性和低功耗的优点。FRAM的工作原理基于铁电材料的极化特性，这使得能够在无电源状态下保持数据。与传统的闪存和EEPROM相比，FRAM在数据写入速度上具备显著优势，通常可以在纳秒级别完成操作，同时支持数百万次的写入循环，远超其存储技术。FRAM的结构相对简单，采用的是金属氧化物半导体（MOS）技术，使得其在集成度和成本上更具竞争力。由于FRAM在写入和读取过程中消耗的能量极低，非常适合用于电池供电的设备，能够有效延长电池寿命。由于这些优点，FRAM在物联网、智能卡、汽车电子和医疗设备等领域逐渐受到青睐，成为现代存储解决方案中不可少的一部分。随着技术的不断进步，FRAM的应用前景将更加广阔。